2SD669C
BJT
NPN
TO126
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
180.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 140 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 14 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 180 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD669C:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD669C?
Los reemplazos compatibles para el 2SD669C incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD668B, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD669C?
El 2SD669C es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD669C?
El 2SD669C tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.