2SD670H
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
8000.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 8000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD670H:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD670H?
Los reemplazos compatibles para el 2SD670H incluyen: 2SB649, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD670H?
El 2SD670H es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD670H?
El 2SD670H tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.