2SD684

BJT NPN TO66

Parametros Principales

Vce Max. 300.000 V
Vcb Max. 600.000 V
Ic Max. 6.000 A
hFE Min 3000.000
Potencia Max. 30.000 W
Tj Max. 125.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO66
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Collector Capacitance (Cc) 35 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 6 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 600 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 300 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 125 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 30 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 3000

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD684:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD684?

Los reemplazos compatibles para el 2SD684 incluyen: 2N3904, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD684?

El 2SD684 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO66.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD684?

El 2SD684 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 6.000 A.

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