2SD710
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
300.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
500.000
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 150 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 500 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD710:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD710?
Los reemplazos compatibles para el 2SD710 incluyen: 2N2222A, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD710?
El 2SD710 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.