2SD718R
BJT
NPN
TO3P
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
8.000 A
hFE Min
55.000
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 6 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 170 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 80 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 55 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD718R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD718R?
Los reemplazos compatibles para el 2SD718R incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD716, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD718R?
El 2SD718R es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD718R?
El 2SD718R tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 8.000 A.