2SD735
BJT
NPN
MT-200
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
160.000 V
Ic Max.
12.000 A
hFE Min
35.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MT-200 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 12 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 160 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 35 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD735:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD735?
Los reemplazos compatibles para el 2SD735 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD732K, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD735?
El 2SD735 es un transistor BJT NPN en encapsulado MT-200.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD735?
El 2SD735 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 12.000 A.