2SD77H
BJT
NPN
TO1
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 1.8 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 10 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 12 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD77H:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD77H?
Los reemplazos compatibles para el 2SD77H incluyen: 2SD773, 2SD774, 2SD776, 2SD777, 2SD778, 2SD779, 2SD77A, 2SD77AH, 2SD78, 2SD780, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD77H?
El 2SD77H es un transistor BJT NPN en encapsulado TO1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD77H?
El 2SD77H tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.