2SD785
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
1900.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1900 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD785:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD785?
Los reemplazos compatibles para el 2SD785 incluyen: 2SD780DW5, 2SD780V4, 2SD780V5, 2SD780V6, 2SD781, 2SD782, 2SD783, 2SD784, 2SD786, 2SD787, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD785?
El 2SD785 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.