2SD796
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
500.000 V
Ic Max.
8.000 A
hFE Min
200.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 500 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 200 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD796:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD796?
Los reemplazos compatibles para el 2SD796 incluyen: 2SD794AO, 2SD794AR, 2SD794AY, 2SD794O, 2SD794R, 2SD794Y, 2SD795, 2SD795A, 2SD797, 2SD798, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD796?
El 2SD796 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.