2SD806
BJT
NPN
TO3A-1
Parametros Principales
Vcb Max.
600.000 V
Ic Max.
50.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
400.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3A-1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 50 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 600 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 400 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD806:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD806?
Los reemplazos compatibles para el 2SD806 incluyen: 2SD799, 2SD80, 2SD800, 2SD801, 2SD802, 2SD803, 2SD804, 2SD805, 2SD807, 2SD808, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD806?
El 2SD806 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3A-1.