2SD809
BJT
NPN
TO126
Parametros Principales
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
250.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 85 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 15 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 250 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD809:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD809?
Los reemplazos compatibles para el 2SD809 incluyen: 2SD801, 2SD802, 2SD803, 2SD804, 2SD805, 2SD806, 2SD807, 2SD808, 2SD81, 2SD810, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD809?
El 2SD809 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.