2SD811
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
900.000 V
Ic Max.
8.000 A
hFE Min
8.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 900 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 8 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD811:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD811?
Los reemplazos compatibles para el 2SD811 incluyen: 2SD804, 2SD805, 2SD806, 2SD807, 2SD808, 2SD809, 2SD81, 2SD810, 2SD812, 2SD813, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD811?
El 2SD811 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.