2SD825
BJT
NPN
MT-200
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
7.000 A
hFE Min
35.000
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MT-200 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 7 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 80 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 35 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD825:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD825?
Los reemplazos compatibles para el 2SD825 incluyen: 2SD819, 2SD82, 2SD820, 2SD821, 2SD822, 2SD823, 2SD824, 2SD824A, 2SD825A, 2SD826, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD825?
El 2SD825 es un transistor BJT NPN en encapsulado MT-200.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD825?
El 2SD825 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 7.000 A.