2SD825A

BJT NPN MT-200

Parametros Principales

Vce Max. 120.000 V
Vcb Max. 120.000 V
Ic Max. 7.000 A
hFE Min 35.000
Potencia Max. 80.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package MT-200
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 10 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 7 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 120 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 120 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 80 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 35

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD825A:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD825A?

Los reemplazos compatibles para el 2SD825A incluyen: 2N3055, 2SD82, 2SD820, 2SD821, 2SD822, 2SD823, 2SD824, 2SD824A, 2SD825, 2SD826, y 7 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD825A?

El 2SD825A es un transistor BJT NPN en encapsulado MT-200.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD825A?

El 2SD825A tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 7.000 A.

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