2SD826E

BJT NPN TO126

Parametros Principales

Vce Max. 20.000 V
Vcb Max. 60.000 V
Ic Max. 5.000 A
hFE Min 120.000
Potencia Max. 10.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO126
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 120 MHz
Collector Capacitance (Cc) 45 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 20 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 10 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 120

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD826E:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD826E?

Los reemplazos compatibles para el 2SD826E incluyen: 2SD821, 2SD822, 2SD823, 2SD824, 2SD824A, 2SD825, 2SD825A, 2SD826, 2SD826F, 2SD826G, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD826E?

El 2SD826E es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD826E?

El 2SD826E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.

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