2SD828
BJT
NPN
MT-200
Parametros Principales
Vcb Max.
500.000 V
Ic Max.
4.000 A
hFE Min
1000.000
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MT-200 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 4 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 500 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 80 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 1000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD828:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD828?
Los reemplazos compatibles para el 2SD828 incluyen: 2SD824A, 2SD825, 2SD825A, 2SD826, 2SD826E, 2SD826F, 2SD826G, 2SD827, 2SD829, 2SD83, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD828?
El 2SD828 es un transistor BJT NPN en encapsulado MT-200.