2SD835
BJT
NPN
TO220
Parametros Principales
Vcb Max.
400.000 V
Ic Max.
6.000 A
hFE Min
400.000
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 6 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 15 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 400 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 40 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 400 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD835:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD835?
Los reemplazos compatibles para el 2SD835 incluyen: 2SD828, 2SD829, 2SD83, 2SD830, 2SD831, 2SD832, 2SD833, 2SD834, 2SD836, 2SD836A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD835?
El 2SD835 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO220.