2SD851
BJT
NPN
MT-200
Parametros Principales
Vcb Max.
150.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
3000.000
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MT-200 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 8 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 150 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 80 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 3000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD851:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD851?
Los reemplazos compatibles para el 2SD851 incluyen: 2SD669A, 2SD844Y, 2SD845, 2SD846, 2SD847, 2SD848, 2SD848A, 2SD849, 2SD850, 2SD852, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD851?
El 2SD851 es un transistor BJT NPN en encapsulado MT-200.