2SD858
BJT
NPN
TO218
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO218 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 60 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD858:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD858?
Los reemplazos compatibles para el 2SD858 incluyen: 2SD855A, 2SD855B, 2SD856, 2SD856A, 2SD856B, 2SD857, 2SD857A, 2SD857B, 2SD858A, 2SD858B, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD858?
El 2SD858 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO218.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD858?
El 2SD858 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.