2SD858A

BJT NPN TO218

Parametros Principales

Vce Max. 60.000 V
Vcb Max. 80.000 V
Ic Max. 5.000 A
hFE Min 40.000
Potencia Max. 60.000 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO218
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Maximum Collector Current |Ic max| 5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 80 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 60 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 175 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 60 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 40

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD858A:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD858A?

Los reemplazos compatibles para el 2SD858A incluyen: 2SB817, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD858A?

El 2SD858A es un transistor BJT NPN en encapsulado TO218.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD858A?

El 2SD858A tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.

Scroll al inicio