2SD863F
BJT
NPN
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
160.000
Potencia Max.
0.900 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 150 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 12 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.9 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 160 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD863F:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD863F?
Los reemplazos compatibles para el 2SD863F incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD860B, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD863F?
El 2SD863F es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD863F?
El 2SD863F tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.