2SD882-O
BJT
NPN
TO126
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1.25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD882-O:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD882-O?
Los reemplazos compatibles para el 2SD882-O incluyen: 2SD874AQ, 2SD874AR, 2SD874AS, 2SD874Q, 2SD874R, 2SD874S, 2SD882-GR, 2SD882-R, 2SD882-Y, 2SD882GP, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD882-O?
El 2SD882-O es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD882-O?
El 2SD882-O tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.