2SD882-Y

BJT NPN TO126

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 40.000 V
Ic Max. 3.000 A
hFE Min 160.000
Potencia Max. 1.250 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO126
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 50 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 3 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1.25 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 160

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD882-Y:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD882-Y?

Los reemplazos compatibles para el 2SD882-Y incluyen: 2SD874AS, 2SD874Q, 2SD874R, 2SD874S, 2SD882-GR, 2SD882-O, 2SD882-R, 2SD882GP, 2SD882ZGP, 2SD965-Q, y 2 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD882-Y?

El 2SD882-Y es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD882-Y?

El 2SD882-Y tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.

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