2SD882G
BJT
NPN
TO126
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
200.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 90 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 45 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 200 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD882G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD882G?
Los reemplazos compatibles para el 2SD882G incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5401, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD882G?
El 2SD882G es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD882G?
El 2SD882G tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.