2SD899A
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
1500.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
11.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1500 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 11 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD899A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD899A?
Los reemplazos compatibles para el 2SD899A incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SA1837, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD899A?
El 2SD899A es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.