2SD912
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
120.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 120 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD912:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD912?
Los reemplazos compatibles para el 2SD912 incluyen: 2SD313, 2SD905, 2SD906, 2SD907, 2SD908, 2SD909, 2SD91, 2SD910, 2SD911, 2SD913, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD912?
El 2SD912 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.