2SD913
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
200.000 V
Ic Max.
25.000 A
hFE Min
24.000
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 25 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 150 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 24 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD913:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD913?
Los reemplazos compatibles para el 2SD913 incluyen: 2SD906, 2SD907, 2SD908, 2SD909, 2SD91, 2SD910, 2SD911, 2SD912, 2SD914, 2SD915, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD913?
El 2SD913 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.