2SD935
BJT
NPN
TOP3
Parametros Principales
Vcb Max.
250.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TOP3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 250 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 60 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD935:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD935?
Los reemplazos compatibles para el 2SD935 incluyen: 2SD928, 2SD929, 2SD93, 2SD930, 2SD931, 2SD932, 2SD933, 2SD934, 2SD936, 2SD937, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD935?
El 2SD935 es un transistor BJT NPN en encapsulado TOP3.