2SD949
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
1500.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
3.000
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
130.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1500 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 130 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 40 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 3 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD949:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD949?
Los reemplazos compatibles para el 2SD949 incluyen: 2SD942, 2SD943, 2SD944, 2SD946, 2SD946A, 2SD946B, 2SD947, 2SD948, 2SD950, 2SD951, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD949?
El 2SD949 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.