2SD956
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
1500.000 V
Ic Max.
2.500 A
hFE Min
12.000
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1500 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 50 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 12 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD956:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD956?
Los reemplazos compatibles para el 2SD956 incluyen: 2SD948, 2SD949, 2SD950, 2SD951, 2SD952, 2SD953, 2SD954, 2SD955, 2SD957, 2SD957A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD956?
El 2SD956 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.