2SD965-Q

BJT NPN SOT89

Parametros Principales

Vce Max. 20.000 V
Vcb Max. 40.000 V
Ic Max. 5.000 A
hFE Min 230.000
Potencia Max. 0.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT89
Polarity NPN
SMD Transistor Code D965Q
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 150 MHz
Collector Capacitance (Cc) 50 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 20 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.5 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 230

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD965-Q:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD965-Q?

Los reemplazos compatibles para el 2SD965-Q incluyen: 2SD874S, 2SD882-GR, 2SD882-O, 2SD882-R, 2SD882-Y, 2SD882GP, 2SD882ZGP, 2SD965K, 2SD992-Z.

¿Que tipo de transistor es el 2SD965-Q?

El 2SD965-Q es un transistor BJT NPN en encapsulado SOT89.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD965-Q?

El 2SD965-Q tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.

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