2SD992-Z
BJT
NPN
TO252
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
35.000
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 35 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD992-Z:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD992-Z?
Los reemplazos compatibles para el 2SD992-Z incluyen: 2SD882-GR, 2SD882-O, 2SD882-R, 2SD882-Y, 2SD882GP, 2SD882ZGP, 2SD965-Q, 2SD965K.
¿Que tipo de transistor es el 2SD992-Z?
El 2SD992-Z es un transistor BJT NPN en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD992-Z?
El 2SD992-Z tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.