2SK1109
MOSFET
N-Channel
SC59
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.010 A
RDSon
2850.0000 Ω
Potencia Max.
0.080 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC59 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.01 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.08 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2850 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1109:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1109?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1109 incluyen: 2SK1006-01MR, 2SK1007-01, 2SK1013-01, 2SK1017, 2SK1019, 2SK105, 2SK1059, 2SK1060, 2SK1151L, 2SK1151S, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1109?
El 2SK1109 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SC59.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1109?
El 2SK1109 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.010 A.