2SK1112
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
0.1600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.16 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1112:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1112?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1112 incluyen: 2SK1151L, 2SK1151S, 2SK1152L, 2SK1152S, AO3407, 2SK4213A-ZK, 2SK4213-ZK, 2SK4178-S27-AY, 2SK4004-01MR, 2SK4005-01MR, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1112?
El 2SK1112 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1112?
El 2SK1112 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.