2SK1120
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
1000.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.8000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1000 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1120:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1120?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1120 incluyen: 2SJ516, 2SJ525, 2SJ618, 2SJ619, 2SJ620, 2SJ669, 2SJ676, 2SK1119, 2SK1381, 2SK1382, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1120?
El 2SK1120 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1120?
El 2SK1120 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1000.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.