2SK1122
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
40.000 A
RDSon
0.0500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 210 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 800 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 40 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.05 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1122:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1122?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1122 incluyen: 2SK1007-01, 2SK1013-01, 2SK1017, 2SK1019, 2SK105, 2SK1059, 2SK1060, 2SK1119, 2SK1120, 2SK1117, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1122?
El 2SK1122 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1122?
El 2SK1122 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 40.000 A.