2SK1157
MOSFET
N-Channel
TO220AB
Parametros Principales
Vds Max.
450.000 V
Id Max.
7.000 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220AB |
| tr - Rise Time | 55 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 450 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1157:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1157?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1157 incluyen: 2SK1095, 2SK1096-MR, 2SK1098-M, 2SK1099, 2SK1151S, 2SK1152L, 2SK1152S, 2SK1155, 2SK1156, 2SK1117, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1157?
El 2SK1157 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1157?
El 2SK1157 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.000 A.