2SK1160
MOSFET
N-Channel
TO220AB
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.7000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220AB |
| tr - Rise Time | 55 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 340 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.7 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1160:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1160?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1160 incluyen: 2SJ553S, 2SK1151L, 2SK1151S, 2SK1152L, 2SK1152S, 2SK1155, 2SK1156, 2SK1158, 2SK1162, 2SK1167, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1160?
El 2SK1160 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1160?
El 2SK1160 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.