2SK1161
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
450.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 60 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 450 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1161:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1161?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1161 incluyen: 2SK1096-MR, 2SK1098-M, 2SK1099, 2SK1155, 2SK1156, 2SK1158, 2SK1160, 2SK1117, 2SK1118, 2SK1153, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1161?
El 2SK1161 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1161?
El 2SK1161 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.