2SK1170
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
20.000 A
RDSon
0.2700 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 115 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 780 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 20 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.27 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1170:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1170?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1170 incluyen: 2SK117, 2SK1152S, 2SK1155, 2SK1156, 2SK1158, 2SK1160, 2SK1162, 2SK1167, 2SK1168, 2SK1254L, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1170?
El 2SK1170 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1170?
El 2SK1170 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.000 A.