2SK1180
MOSFET
N-Channel
TO3PF FM100
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
85.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3PF FM100 |
| ton - Turn-on Time | 60 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 250 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1180:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1180?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1180 incluyen: 2SK118, AO3400, 2SK1171-01, 2SK1172, 2SK1172-01, 2SK1109, 2SK1122, 2SK1123, 2SK1132, 2SK1133, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1180?
El 2SK1180 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3PF FM100.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1180?
El 2SK1180 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.