2SK1197
MOSFET
N-Channel
TO126
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
0.500 A
RDSon
10.0000 Ω
Vgs Max.
9.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 4 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 9 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 10 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1197:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1197?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1197 incluyen: 2SK1029, 2SK1297, 2SK1186, 2SK1187, 2SK1188, 2SK1189, 2SK1190, 2SK1191, 2SK1192.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1197?
El 2SK1197 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO126.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1197?
El 2SK1197 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.500 A.