2SK1205
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
1000.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
2.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 235 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1000 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1205:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1205?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1205 incluyen: 2SK1202, 2SK1199, 2SK1200, 2SK1329, 2SK1330, 2SK1330A, 2SK1362, 2SK1403, 2SK1201, 2SK1203, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1205?
El 2SK1205 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1205?
El 2SK1205 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1000.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.