2SK1212-01R
MOSFET
N-Channel
TO3PF
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
2.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3PF |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 150 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1212-01R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1212-01R?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1212-01R incluyen: 2SK2759-01R, 2SK2760-01, 2SK2764-01R, 2SK2766-01R, 2SK2767-01, 2SK3505-01MR, 2SK1211, 2SK1211-01, 2SK3920-01, 2SK3922-01, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1212-01R?
El 2SK1212-01R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3PF.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1212-01R?
El 2SK1212-01R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.