2SK1217-01R
MOSFET
N-Channel
TO-3PF
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3PF |
| tr - Rise Time | 230 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1217-01R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1217-01R?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1217-01R incluyen: 2SJ72, 2SJ670, 2SJ164, 2SJ598, 2SJ598-Z, 2SJ557, 2SK1215, 2SK3876-01R, 2SK3025, 2SK1375, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1217-01R?
El 2SK1217-01R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3PF.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1217-01R?
El 2SK1217-01R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.