2SK1299S
MOSFET
N-Channel
DPAK
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
0.3500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DPAK |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 165 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.35 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1299S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1299S?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1299S incluyen: 2SK1162, 2SK1167, 2SK1168, 2SK1170, 2SK1254L, 2SK1254S, 2SK1298, 2SK1299L, 2SK1300, 2SK1301, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1299S?
El 2SK1299S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1299S?
El 2SK1299S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.