2SK1365
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
1000.000 V
Id Max.
7.000 A
RDSon
1.8000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
90.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 90 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1000 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1365:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1365?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1365 incluyen: 2SJ537, 2SJ567, 2SJ610, 2SJ668, 2SJ680, 2SJ681, 2SK1062, 2SK1359, 2SK1489, 2SK1826, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1365?
El 2SK1365 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1365?
El 2SK1365 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1000.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.000 A.