2SK1629-E1-E
MOSFET
N-Channel
TO264
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.2700 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
200.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO264 |
| tr - Rise Time | 140 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 780 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.27 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1629-E1-E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1629-E1-E?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1629-E1-E incluyen: 2SK1623L, 2SK1623S, 2SK1629, 2SK1628, 2SK1590C, 2SK1600, 2SK1601, 2SK1602, 2SK1603, 2SK160A, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1629-E1-E?
El 2SK1629-E1-E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO264.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1629-E1-E?
El 2SK1629-E1-E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.