2SK1795
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
140.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 40 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 285 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1795:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1795?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1795 incluyen: 50N06, 2SK1778, 2SK1792, 2SK1793-Z, 2SK1756, 2SK1757, 2SK1758, 2SK1760, 2SK1784, 2SK1785, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1795?
El 2SK1795 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1795?
El 2SK1795 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.