2SK1982-01M
MOSFET
N-Channel
TO-220F
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.7600 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220F |
| tr - Rise Time | 40 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.76 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1982-01M:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1982-01M?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1982-01M incluyen: 2N7000, 20N15, 25N40A, 2SJ126, 2SK1105, 2SK198, 2SK1980, 2SK1975, BLM9926, 2SK1917-M, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1982-01M?
El 2SK1982-01M es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220F.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1982-01M?
El 2SK1982-01M tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.